电磁复习室

题库练习

填空、判断、简答、计算。先独立作答,再对照推导。

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48 道题

24 道样题大题+24 道本站配套自测。先在纸上作答,再展开答案并自评;题目不自动判分。

真空中的静电场 · 自测01 / 48

自测|高斯面内净电荷为零,面上电场一定为零吗?

展开参考答案

不一定。一个面外点电荷在面上产生非零电场,但总通量为零。高斯定理约束整体通量,不单独确定局域场。

未自评
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真空中的静电场 · 自测02 / 48

自测|闭面上场强处处为零,面内一定没有电荷吗?

展开参考答案

只能推出面内净电荷为零。面内可以有等量异号电荷,例如完全包住带内部电荷的接地屏蔽结构,外部场为零。

未自评
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真空中的静电场 · 自测03 / 48

自测|均匀实心带电球的电势如何分段写?

展开参考答案

取 U(∞)=0U(\infty)=0。外部 U=Q/(4πε0r)U=Q/(4\pi\varepsilon_0r);内部从表面往内积分:U(r)=Q(3−r2/R2)/(8πε0R)U(r)=Q(3-r^2/R^2)/(8\pi\varepsilon_0R)。检查 r=Rr=R 连续,且 −dU/dr=Qr/(4πε0R3)-dU/dr=Qr/(4\pi\varepsilon_0R^3)。

未自评
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真空中的静电场 · 自测04 / 48

自测|均匀带电圆环轴线上哪里场强最大?

展开参考答案

对 z>0z>0,dEz/dzdE_z/dz 与 R2−2z2R^2-2z^2 同号,故 z=R/2z=R/\sqrt2。最大值为 Q/(63πε0R2)Q/(6\sqrt3\pi\varepsilon_0R^2)。负半轴有对称的场强绝对值极大点。

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真空中的静电场 · 自测05 / 48

自测|均匀带电半球面在球心产生多大场?

展开参考答案

半径 RR、正面密度 σ\sigma、半球位于 z>0z>0。环元积分 dEz=−σsin⁡θcos⁡θ dθ/(2ε0)dE_z=-\sigma\sin\theta\cos\theta\,d\theta/(2\varepsilon_0),积分 00 到 π/2\pi/2,得 E=−σz^/(4ε0)\mathbf E=-\sigma\hat{\mathbf z}/(4\varepsilon_0)。它与 RR 无关。对应讲义 3 第 15–16 页。

未自评
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真空中的静电场 · 自测06 / 48

自测|怎样检验积分求场的结果?

展开参考答案

至少做三项:量纲为 V/m;远场对局域总电量非零的分布应趋近点电荷场;在对称点应有正确方向和零分量。圆盘还应在 R→∞R\to\infty 时趋近无限平面场。

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导体与电介质 · 自测07 / 48

自测|导体球壳内放入电量 qq,球壳总电量为 QQ,内外表面各多少电量?

展开参考答案

内表面 −q-q,外表面 Q+qQ+q。用导体材料中的高斯面得第一个结果,再用壳自身电荷守恒得第二个结果。只有球形外表面且无外源时,外场才等效球心电量 Q+qQ+q 的点电荷场。

未自评
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导体与电介质 · 自测08 / 48

自测|两层介质分别“沿面积分区”和“沿厚度分层”,电容怎样写?

展开参考答案

沿面积分区、同厚度 dd:C=(ε1S1+ε2S2)/dC=(\varepsilon_1S_1+\varepsilon_2S_2)/d,按并联。沿厚度分层、同面积 SS 且界面无自由电荷:C=S/(d1/ε1+d2/ε2)C=S/(d_1/\varepsilon_1+d_2/\varepsilon_2),按串联。先画电场与界面的相对方向。

未自评
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导体与电介质 · 自测09 / 48

自测|均匀极化是否等于介质不带电?

展开参考答案

不是。只保证体极化电荷为零;表面 σb=P⋅n\sigma_b=\mathbf P\cdot\mathbf n 通常非零。完整介质的体面总束缚电量仍为零。

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导体与电介质 · 自测10 / 48

自测|接地球外点电荷所受力如何求?

展开参考答案

先构造 q′=−qR/dq'=-qR/d,像距球心 R2/dR^2/d,二者距离为 d−R2/dd-R^2/d。由库仑力得吸引力大小 q2Rd/[4πε0(d2−R2)2]q^2Rd/[4\pi\varepsilon_0(d^2-R^2)^2]。只能把它用于真实点电荷受力,不能将像电荷解释成实际球内电荷。

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导体与电介质 · 自测11 / 48

自测|两接地垂直平面为何不能只放两个负像电荷?

展开参考答案

两个负像各保证一个平面上真实电荷的势被抵消,但会互相破坏另一平面的零电势条件。加入双重镜像位置的正像后,两个平面分别成对抵消。

未自评
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导体与电介质 · 自测12 / 48

自测|D\mathbf D 是否一定无旋?

展开参考答案

不一定。静电场的 E\mathbf E 无旋;D=εE\mathbf D=\varepsilon\mathbf E 在分区或非均匀介质中不必无旋。不要把 ∮E⋅dl=0\oint\mathbf E\cdot d\mathbf l=0 改写成任意介质中的 ∮D⋅dl=0\oint\mathbf D\cdot d\mathbf l=0。

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静电能与静电力 · 自测13 / 48

自测|三点电荷的互能为什么只有三项?

展开参考答案

三组不重复的电荷对为 (1,2),(1,3),(2,3)(1,2),(1,3),(2,3)。W=k(q1q2/r12+q1q3/r13+q2q3/r23)W=k(q_1q_2/r_{12}+q_1q_3/r_{13}+q_2q_3/r_{23})。若写为每点电荷乘其他电荷的电势再求和,需乘 1/21/2 去重。

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静电能与静电力 · 自测14 / 48

自测|均匀介质中总储能与宏观静电能的比值?

展开参考答案

在全部有场区域都由同一种线性介质填充时,We/We0=ε/ε0=εrW_e/W_{e0}=\varepsilon/\varepsilon_0=\varepsilon_r。分区介质应逐区比较后求和,不能统一乘一个相对介电常数。

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静电能与静电力 · 自测15 / 48

自测|接电源的电容器插入介质,为何储能增加还会吸入介质?

展开参考答案

电源释放的能量一部分增加场和极化储能,另一部分转为机械功。恒压下 dAsource=U2dCdA_{\rm source}=U^2dC,dWe=U2dC/2dW_e=U^2dC/2,静电力做功也是 U2dC/2U^2dC/2。

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静电能与静电力 · 自测16 / 48

自测|平板电容器断电后将间距增大为两倍,储能和吸引力怎样变?

展开参考答案

忽略边缘效应,QQ 固定,CC 减半,We=Q2/(2C)W_e=Q^2/(2C) 加倍;∣F∣=Q2/(2εS)|F|=Q^2/(2\varepsilon S) 不变。不能把固定电压的 1/d21/d^2 关系用在这个过程。

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静电能与静电力 · 自测17 / 48

自测|同轴电容器的一半场能在什么半径内?

展开参考答案

从内半径 aa 到 rr 的能量与 ln⁡(r/a)\ln(r/a) 成正比。令 ln⁡(r/a)=12ln⁡(b/a)\ln(r/a)=\frac12\ln(b/a),得 r=abr=\sqrt{ab}。来源:第二次习题课实际第 27 页(幻灯片页脚写 28/48)。

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静电能与静电力 · 自测18 / 48

自测|电滞损耗公式中的闭路积分为什么不为零?

展开参考答案

极化有历史依赖,PP 对 EE 不是单值函数;同一 EE 下可处于不同的极化状态。走完回线虽然状态恢复,输入功却转为热,∮E dP\oint E\,dP 等于正的回线面积。

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稳恒电流 · 自测19 / 48

自测|均匀铜棒的电阻、漂移速度与热功率?

展开参考答案

长 ll、截面 SS、电导率 γ\gamma、电子数密度 nn、电流 II:R=l/(γS)R=l/(\gamma S),vd=I/(neS)v_d=I/(neS),P=I2l/(γS)P=I^2l/(\gamma S)。电子漂移方向与电流相反。

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稳恒电流 · 自测20 / 48

自测|6 条支路、4 个节点,需要多少独立回路方程?

展开参考答案

连通电路中,m=ℓ−n+1=6−4+1=3m=\ell-n+1=6-4+1=3。另有 n−1=3n-1=3 个独立节点方程,共 6 个方程对应 6 个支路电流。

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稳恒电流 · 自测21 / 48

自测|稳恒导电介质界面应该优先令 DnD_n 还是 jnj_n 连续?

展开参考答案

令 jnj_n 连续,表示不再持续积累电荷。DnD_n 可不连续,其跃变正是已积累的自由面电荷密度。纯绝缘介质且界面无自由电荷时,才由 σf=0\sigma_f=0 推出 DnD_n 连续。

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稳恒电流 · 自测22 / 48

自测|两层漏电介质电导率相同,介电常数不同,界面总电荷为零吗?

展开参考答案

法向串联的一维稳态中,E1=E2E_1=E_2,所以总面电荷为零;但自由面电荷为 (ε2−ε1)E(\varepsilon_2-\varepsilon_1)E,通常不为零,束缚面电荷正好抵消它。

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稳恒电流 · 自测23 / 48

自测|埋在无限均匀介质中的球电极接地电阻怎样推导?

展开参考答案

半径 aa,球面上 j(r)=I/(4πr2)j(r)=I/(4\pi r^2),故 E=j/γE=j/\gamma。从 aa 到无穷远积分得 U=I/(4πγa)U=I/(4\pi\gamma a),所以 R=1/(4πγa)R=1/(4\pi\gamma a)。半空间半球电极应把 4π4\pi 改为 2π2\pi。

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稳恒电流 · 自测24 / 48

自测|稳恒电流为什么还可以有静电场?

展开参考答案

稳恒条件只要求电荷分布不随时间变,并不要求电荷密度为零。稳定的表面或界面电荷建立静电场;电子在场中漂移,电源持续提供能量,电流可以稳恒。

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期中样题 · 填空25 / 48

样题·填空1|相距 1.06×10−10 m1.06\times10^{-10}\,\mathrm m 的正、负电子的静电力与相互作用能

展开参考答案

按题给常数,F=e2/(4πε0r2)=2.05×10−8 NF=e^2/(4\pi\varepsilon_0r^2)=2.05\times10^{-8}\,\mathrm N,为吸引力;W=−e2/(4πε0r)≃−13.6 eVW=-e^2/(4\pi\varepsilon_0r)\simeq-13.6\,\mathrm{eV}。这是给定间距的静电互能,不含动能和静止能。来源:样题第 1 页,一·1;参考解答第 1 页。

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期中样题 · 填空26 / 48

样题·填空2|同心薄球壳固定外半径 bb 和电压 UU,内球外侧场强何时最小?

展开参考答案

由 U=Q(1/a−1/b)/(4πε0)U=Q(1/a-1/b)/(4\pi\varepsilon_0) 得 E(a)=Q/(4πε0a2)=Ub/[a(b−a)]E(a)=Q/(4\pi\varepsilon_0a^2)=Ub/[a(b-a)]。a(b−a)a(b-a) 在 a=b/2a=b/2 处最大,所以 Emin⁡=4∣U∣/bE_{\min}=4|U|/b。此优化保持电压和 bb 不变,不能按固定电量求极值。来源:样题第 1 页,一·2。

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期中样题 · 填空27 / 48

样题·填空3|三个 6.0 pF,20 V6.0\,\mathrm{pF},20\,\mathrm V 电容器,两个并联再与第三个串联,总电容和耐压?

展开参考答案

并联组为 12 pF12\,\mathrm{pF}、耐压 20 V20\,\mathrm V,与 6 pF6\,\mathrm{pF} 串联后 C=4.0 pFC=4.0\,\mathrm{pF}。同电量时第三个电容器分得并联组的两倍电压,先到 20 V20\,\mathrm V,此时并联组为 10 V10\,\mathrm V,所以总耐压 30 V30\,\mathrm V。来源:样题第 1 页,一·3。

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期中样题 · 填空28 / 48

样题·填空4|导体平面上方 (a,0,a)(a,0,a) 的 +q+q 与 (−a,0,a)(-a,0,a) 的 −q-q:+q+q 的受力与 (a,0,0)(a,0,0) 面电荷密度

展开参考答案

按原参考答案所用的零电势平面解处理(无限平面、无额外外加均匀场)。两像电荷为 (a,0,−a)(a,0,-a) 的 −q-q 和 (−a,0,−a)(-a,0,-a) 的 +q+q。令 k=1/(4πε0)k=1/(4\pi\varepsilon_0):

F=kq2a2(−14+182)(x^+z^),\mathbf F=\frac{kq^2}{a^2}\left(-\frac14+\frac1{8\sqrt2}\right)(\hat{\mathbf x}+\hat{\mathbf z}),
∣F∣=(22−1)q232πε0a2.|F|=\frac{(2\sqrt2-1)q^2}{32\pi\varepsilon_0a^2}.
面密度用两组平面像的贡献叠加:
σ(a,0)=−q2πa2(1−155).\sigma(a,0)=-\frac{q}{2\pi a^2}\left(1-\frac1{5\sqrt5}\right).
受力包括另一真实电荷及两个像电荷,不能只算自己的像。原题未明确写“接地”,本站补明它采用的边界设定。来源:样题第 1 页,一·4;参考解答第 1 页。

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期中样题 · 填空29 / 48

样题·填空5|无限介质 ε\varepsilon 中的真空球腔充满均匀自由体电荷 ρ\rho,求腔内外静电能

展开参考答案

用 Dr=ρr/3D_r=\rho r/3(腔内)、Dr=ρR3/(3r2)D_r=\rho R^3/(3r^2)(腔外),再分别除以 ε0,ε\varepsilon_0,\varepsilon 得场。

Win=∫0Rε0E22 4πr2dr=2πρ2R545ε0,W_{\rm in}=\int_0^R\frac{\varepsilon_0E^2}2\,4\pi r^2dr=\frac{2\pi\rho^2R^5}{45\varepsilon_0},
Wout=∫R∞εE22 4πr2dr=2πρ2R59ε.W_{\rm out}=\int_R^\infty\frac{\varepsilon E^2}2\,4\pi r^2dr=\frac{2\pi\rho^2R^5}{9\varepsilon}.
这是总静电能口径;腔外宏观静电能需再乘 ε0/ε\varepsilon_0/\varepsilon。来源:样题第 1 页,一·5。

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期中样题 · 填空30 / 48

样题·填空6|长 ll、截面 SS、电流 II 的铜棒:电阻、电子漂移速度、焦耳功率

展开参考答案

用 γ\gamma 表示题中电导率 σ\sigma:R=l/(γS)R=l/(\gamma S),漂移速率 vd=I/(neS)v_d=I/(neS),P=I2l/(γS)P=I^2l/(\gamma S)。电子速度方向与电流方向相反。来源:样题第 1 页,一·6。

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期中样题 · 填空31 / 48

样题·填空7|原图所示两电源六电阻电路:支路数与 R3R_3 电流

展开参考答案

样题电路,按题意重绘,电源极性已标明 原题 E1=E2=10 V\mathcal E_1=\mathcal E_2=10\,\mathrm V,R3=2 ΩR_3=2\,\Omega,R1=R2=R4=R5=8 ΩR_1=R_2=R_4=R_5=8\,\Omega,R6=6 ΩR_6=6\,\Omega。支路数 6,R3R_3 电流大小 1 A1\,\mathrm A,由右向左。

取底部节点电势为零,顶部为 VTV_T、左中为 VLV_L、右中为 VMV_M。按原图极性,设中横支路向右:

I3=VL−VM−102.I_3=\frac{V_L-V_M-10}{2}.
两个中间节点方程相加得 VL+VM=VTV_L+V_M=V_T;顶部节点得 VT/8+(VT+10)/6=0V_T/8+(V_T+10)/6=0。解得 VT=−40/7 VV_T=-40/7\,\mathrm V,VL=8/7 VV_L=8/7\,\mathrm V,VM=−48/7 VV_M=-48/7\,\mathrm V,所以 I3=−1 AI_3=-1\,\mathrm A。负号表示与假设方向相反。来源:样题第 1 页,一·7。

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期中样题 · 判断32 / 48

样题·判断1|点电荷与带电体越近,静电力一定越大

展开参考答案

错。“带电体”不一定是点电荷。均匀带电圆环轴线上,离环中心足够近时 E∝zE\propto z,向中心靠近反而减小,中心为零。库仑反平方律不能直接用于任意有限带电体。来源:样题二·1,参考答案 ×。

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期中样题 · 判断33 / 48

样题·判断2|真空静电场情形,库仑定律与高斯定理不可以相互导出

展开参考答案

**原参考答案:对。**需要按本课“仅凭一个定理能否完全反推”的口径理解:库仑定律配合叠加原理可以推出高斯定理;高斯定理本身只限制散度,不足以唯一决定一般矢量场,还需无旋性与边界条件。对单点电荷再引入球对称条件,可以从高斯式恢复库仑场。因此不要把原题解释成“任何附加条件下都不能推导”。来源:样题二·2;讲义 4 第 12–13 页。

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期中样题 · 判断34 / 48

样题·判断3|闭面上各点电场均为零,面内必没有宏观电荷

展开参考答案

**错。**只能推出面内净电量为零。内部可以存在等量异号电荷或被导体屏蔽的电荷体系。来源:样题二·3。

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期中样题 · 判断35 / 48

样题·判断4|一个区域处处场强为零等价于该区域等电势

展开参考答案

**对,在连通静电区域内。**由 E=−∇U\mathbf E=-\nabla U,沿任意连接两点的路径积分为零;反之常电势梯度为零。如果区域不连通,不同连通块可以取不同常数。来源:样题二·4。

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期中样题 · 判断36 / 48

样题·判断5|未接地空腔导体中,改变腔内电荷位置,外部电场不变

展开参考答案

**对,默认壳形状、净电量、腔内总电量和外界条件不变。**内表面分布会变,外表面总电量不变,唯一性定理保证外部场不变。改变腔内总电量或外界边界时不能套此结论。来源:样题二·5。

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期中样题 · 判断37 / 48

样题·判断6|正电均匀细圆环,在环平面圆周内部,中心点电势最低

展开参考答案

**对。**限定在环平面内;靠近中心展开得 U(x)=kQ/R+kQx2/(4R3)+⋯U(x)=kQ/R+kQx^2/(4R^3)+\cdots。沿轴离开中心时电势却减小,所以三维空间中心是鞍点。来源:样题二·6;讲义 6 第 1–2 页。

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期中样题 · 判断38 / 48

样题·判断7|水在电场中主要发生取向极化

展开参考答案

**对。**水是有极分子,主要通过固有偶极矩偏向电场方向产生极化,同时也有位移极化。来源:样题二·7;讲义 7 第 29–34 页。

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期中样题 · 判断39 / 48

样题·判断8|介质只有表面电荷,面密度 σ\sigma,表面外侧场一定为 σ/ε0\sigma/\varepsilon_0

展开参考答案

**错。**普通带电界面只保证 Eout,n−Ein,n=σtotal/ε0E_{{\rm out},n}-E_{{\rm in},n}=\sigma_{\rm total}/\varepsilon_0,不保证内侧电场为零。Eout=σ/ε0E_{\rm out}=\sigma/\varepsilon_0 还用了静电平衡导体内侧 E=0E=0 的条件。来源:样题二·8。

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期中样题 · 判断40 / 48

样题·判断9|退极化场与外电场方向总是相反

展开参考答案

**错。**一般几何中可不共线。斜置介质平板中,退极化场主要沿平板法线,而外场含切向分量,二者不严格反平行。来源:样题二·9;讲义 9 第 1–2 页。

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期中样题 · 判断41 / 48

样题·判断10|接电源的平板电容器缓慢插入介质后储能增加

展开参考答案

**对。**按总储能 We=CU2/2W_e=CU^2/2,固定 UU 时 CC 增大,储能增大。若电容器先断开电源,固定 QQ 则总储能减小。来源:样题二·10。

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期中样题 · 简答42 / 48

样题·简答1|为何能够引入电势?有什么求解便利?

展开参考答案

静电场环路积分为零,电场力做功与路径无关,所以可以定义单值电势。电势是标量,满足标量叠加,求出 UU 后通过 E=−∇U\mathbf E=-\nabla U 得场。答题要写出“无旋 → 路径无关 → 电势 → 负梯度”的链条。来源:样题三·1。

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期中样题 · 简答43 / 48

样题·简答2|静电平衡时,孤立导体表面电荷可否异号?

展开参考答案

按本题“只有一个孤立导体、没有外部电荷或腔内电荷”的设定,非零净电量时表面电荷不能同时有正有负。导体等势,若存在从同一导体正电区出发并终止于负电区的电场线,则沿线电势严格降低,与同一导体等势矛盾;若两类场线分别连向无穷远,同样要求同一导体电势既高于又低于无穷远电势。也可用拉普拉斯方程最大值原理说明。

**条件提醒:**若“孤立”只指不接地,但允许外部电荷或腔内电荷,导体完全可能有异号感应电荷,不能把参考答案扩大到这些情形。来源:样题三·2,参考解答第 1 页。

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期中样题 · 简答44 / 48

样题·简答3|电滞回线画什么坐标,箭头能否反向?

展开参考答案

电滞回线:横轴 E、纵轴 P,正常循环逆时针 横轴电场 EE、纵轴极化强度 PP,标剩余极化 PrP_r 和矫顽场 EcE_c。正常被动循环逆时针,∮E dP>0\oint E\,dP>0 为每周期单位体积损耗。反向会给出负损耗,意味着循环凭空输出能量,不符合本题的被动耗散过程。来源:样题三·3;讲义 13 第 9 页。

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期中样题 · 简答45 / 48

样题·简答4|为什么强电场中欧姆定律会失效?

展开参考答案

欧姆线性关系依赖电导率近似不随电场改变。强场下,载流子的定向运动不再只是很小扰动,碰撞时间、分布等可能随场改变,使 γ\gamma 变为场的函数。先说明微观前提,再指出线性系数失去恒定性。来源:样题三·4;讲义 14 第 19–24 页。

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期中样题 · 计算46 / 48

样题·计算1|半径 aa 的内导体球接地;同心外壳内外半径 b,cb,c、净电量 QQ,求内球电量与体系电容

展开参考答案

设内球电量 qq,外壳内表面 −q-q,外表面 Q+qQ+q。电势为

UB=Q+q4πε0c,UA=UB+q4πε0(1a−1b)=0.U_B=\frac{Q+q}{4\pi\varepsilon_0c},\quad U_A=U_B+\frac{q}{4\pi\varepsilon_0}\left(\frac1a-\frac1b\right)=0.
解得
q=−abQab+bc−ac.q=-\frac{abQ}{ab+bc-ac}.
电容是外壳 B 对“接地内球及无穷远”的等效电容:
C=QUB=4πε0(abb−a+c).C=\frac Q{U_B}=4\pi\varepsilon_0\left(\frac{ab}{b-a}+c\right).
等效电路是 A–B 球形电容与 B–无穷远孤立球电容并联。不要只算两球间的 4πε0ab/(b−a)4\pi\varepsilon_0ab/(b-a)。来源:样题第 2 页,四·1;参考解答第 1 页。

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期中样题 · 计算47 / 48

样题·计算2|半径 RR、厚度 h≪Rh\ll R 的圆板,极化强度 P\mathbf P 平行板面,求极化面电荷和中心退极化场

展开参考答案

取 θ\theta 为侧面外法线与 P\mathbf P 的夹角。两大平面法线垂直 P\mathbf P,所以无束缚面电荷;侧面为 σb=Pcos⁡θ\sigma_b=P\cos\theta;均匀极化的体电荷为零。

薄板近似下侧面元 dS≃hR dθdS\simeq hR\,d\theta,中心到它的距离近似为 RR。沿 P\mathbf P 的分量为

dE∥=−Ph4πε0Rcos⁡2θ dθ.dE_\parallel=-\frac{Ph}{4\pi\varepsilon_0R}\cos^2\theta\,d\theta.
积分 00 到 2π2\pi,得到
E′=−h4ε0RP.\mathbf E'=-\frac h{4\varepsilon_0R}\mathbf P.
这与极化方向垂直板面的薄板结果 −P/ε0-\mathbf P/\varepsilon_0 不同。来源:样题第 2 页,四·2;参考解答第 1 页。

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期中样题 · 计算48 / 48

样题·计算3|两介质各占平板电容器一半体积,界面垂直极板,恒压 UU:场、电荷、宏观静电能和平衡外力

展开参考答案

设极板长 aa、宽 bb、间距 dd,沿长边分为两区,每区面积 ab/2ab/2,忽略边缘效应。定义电场从上方正极板指向下方负极板。

**① 场:**两区并联,同电压同厚度,E1=E2=U/dE_1=E_2=U/d,Di=εiU/dD_i=\varepsilon_iU/d。

**② 电荷:**正、负极板各区域自由面密度为 ±εiU/d\pm\varepsilon_iU/d。介质上表面束缚密度为 −(εi−ε0)U/d-(\varepsilon_i-\varepsilon_0)U/d,下表面为正;侧面及两介质接触面法线垂直 P\mathbf P,无束缚面电荷;均匀区域内 ρb=0\rho_b=0。

③ 宏观静电能(注意术语):

We0=12ε0E2abd=ε0abU22d.W_{e0}=\frac12\varepsilon_0E^2abd=\frac{\varepsilon_0abU^2}{2d}.
总静电能另为 We=(ε1+ε2)abU2/(4d)W_e=(\varepsilon_1+\varepsilon_2)abU^2/(4d),极化能为两者之差。

**④ 外力:**取界面向右移动 xx、介质 1 占据面积增大:

C(x)=bd[ε1(a/2+x)+ε2(a/2−x)],C(x)=\frac bd\left[\varepsilon_1(a/2+x)+\varepsilon_2(a/2-x)\right],
Felec,x=U22dCdx=(ε1−ε2)bU22d,F_{{\rm elec},x}=\frac{U^2}2\frac{dC}{dx}=\frac{(\varepsilon_1-\varepsilon_2)bU^2}{2d},
Fext,x=−Felec,x=(ε2−ε1)bU22d.F_{{\rm ext},x}=-F_{{\rm elec},x}=\frac{(\varepsilon_2-\varepsilon_1)bU^2}{2d}.
静电力使较大介电常数的介质占据更多极板区域;外力与之相反。来源:样题第 2 页,四·3;参考解答第 2 页。

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