1. 符号与常数
U 表示电势或电势差,W 表示能量;ρf,σf 为自由电荷密度,ρb,σb 为束缚电荷密度;γ 为电导率(原讲义常记 σ),ε 是绝对介电常数。
k=4πε01≃8.99×109,ε0≃8.854×10−12F/m,e≃1.602×10−19C.1eV=1.602×10−19J.2. 场、通量与电势
E=k∫∣r−r′∣3r−r′dq′,U=k∫∣r−r′∣dq′,E=−∇U.∮E⋅dS=Qtotal/ε0,∮E⋅dl=0.UB−UA=−∫ABE⋅dl,AA→B=q(UA−UB).
3. 导体、电容与极化
Ematerial=0,Eout,n=σ/ε0,pe=σ2/(2ε0).C=Q/U,Cplate=εS/d,Csphere=4πεab/(b−a),Ccoax=2πεL/ln(b/a).C∥=i∑Ci,Cseries1=i∑Ci1,Qmax,series=imin(CiUi,max).D=ε0E+P,P=(ε−ε0)E (线性各向同性).ρb=−∇⋅P,σb=P⋅noutward,∮D⋅dS=Qf.两介质界面法线从 1 指向 2:
E2t=E1t,D2n−D1n=σf,ε0(E2n−E1n)=σtotal.
面积分区 C=∑εiSi/d;厚度分层、无自由界面电荷时 C=S/(∑di/εi)。
4. 电像法与极化球
5. 能量与求力:先写约束
Wpoint,int=i<j∑kqiqj/rij,Wext=∫ρUextdV,Wdipole=−p⋅E.We0=21∫ε0E2dV,Wpol=21∫P⋅EdV,We=21∫D⋅EdV.Wcapacitor=2CQ2=21QU=21CU2.FxQ=−(∂x∂We)Q=2C2Q2C′,FxU=+(∂x∂We)U=21U2C′.Wgrounded plane=−q2/(16πε0h),whysteresis=∮EdP.能量密度 E⋅D/2 和电容的三种储能等式用于线性无损耗体系。固定外源的外场势能没有 1/2;接地感应体系的感应部分有 1/2。
6. 电流、电路与综合求解
I=∫j⋅dS,j=nqvd,∂tρ+∇⋅j=0,j=γE.R=l/(γS),R=∫dl/(γS),p=j⋅E,γ=ne2τ/(2m).U=E−Ir (放电),∑I=0,∑ΔU=0,m=ℓ−n+1.两层一维稳恒漏电介质,法线从 1 指向 2:
j=d1/γ1+d2/γ2U,Ei=j/γi,σf=j(ε2/γ2−ε1/γ1).
σtotal=ε0j(1/γ2−1/γ1),σb=σtotal−σf.
7. 最后一分钟:四问
什么体系?什么约束?什么边界?问哪种能量?
写出这四项,通常就能避开:导体与介质混淆、恒压与恒荷混淆、Dn 与 jn 连续混淆、总静电能与宏观静电能混淆。
来源:各式推导与页码见对应章节;本页是速查,不替代适用条件。